AEC-Q100 onsemi MOSFET, MOSFET 1, 6 A, 16 Ben 5 V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 189-0482
- Tillv. art.nr:
- NCV57000DWR2G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
49,90 kr
(exkl. moms)
62,38 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 036 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 + | 24,95 kr | 49,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 189-0482
- Tillv. art.nr:
- NCV57000DWR2G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 6A | |
| Antal ben | 16 | |
| Falltid | 15ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 10ns | |
| Minsta matningsspänning | 5V | |
| Maximal matningsspänning | 5V | |
| Antal drivare | 1 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Längd | 10.45mm | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 6A | ||
Antal ben 16 | ||
Falltid 15ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 10ns | ||
Minsta matningsspänning 5V | ||
Maximal matningsspänning 5V | ||
Antal drivare 1 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.4mm | ||
Längd 10.45mm | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
Hög strömutgång (+4/-6 A) vid IGBT Miller-plattaspänningar
Korta propagationsfördröjningar med exakt matchning
DESAT med mjuk avstängning
Aktiv Miller-klämma och negativ grindspänning
Hög transient- och elektromagnetisk immunitet
5 kV galvanisk isolation
Förbättrar PWM-signalens integritet
Skydd mot överbelastning och kortslutning
Förhindrar felaktig grindaktivering
Robusthet i snabba omkopplingstillämpningar med hög spänning och hög ström
Galvanisk isolering för att separera högspänningssidan och lågspänningssidan för att ge säkerhet och skydd
Användningsområden
Nätaggregat för fordon
HEV/EV-dragväxelriktare
OBC
BSG-omvandlare
PTC-värmare
Elbilsladdare
Relaterade länkar
- AEC-Q100 onsemi MOSFET, MOSFET 1, 6 A, 16 Ben 5 V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi MOSFET, MOSFET, 6.5 μA, 16 Ben 22 V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi MOSFET, MOSFET 1, 7 A, 16 Ben 5 V, SOIC-16 WB
- AEC-Q100 onsemi MOSFET, MOSFET 2, 6.5 μA, 16 Ben 20 V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi MOSFET, MOSFET 1, 7.8 A, 16 Ben 5.5 V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi MOSFET, MOSFET 1, 7.8 A, 16 Ben 20 V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi MOSFET, MOSFET 1, 2.5 A, 8 Ben 6 V, SOIC-8
- AEC-Q100 onsemi MOSFET, Isolerad gate.drivare 1, 7 A, 16 Ben 32 V, SOIC-16