onsemi MOSFET, MOSFET 1, 6 A, 24 Ben 22 V, QFN
- RS-artikelnummer:
- 178-4643P
- Tillv. art.nr:
- NCP51705MNTXG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
2 739,50 kr
(exkl. moms)
3 424,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 7 690 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 100 - 240 | 27,395 kr |
| 250 + | 23,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-4643P
- Tillv. art.nr:
- NCP51705MNTXG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 6A | |
| Antal ben | 24 | |
| Kapseltyp | QFN | |
| Falltid | 15ns | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Antal utgångar | 5 | |
| Stigtid | 15ns | |
| Minsta matningsspänning | 22V | |
| Antal drivare | 1 | |
| Maximal matningsspänning | 22V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Serie | NCP51705 | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Längd | 4mm | |
| Bredd | 4 mm | |
| Fästetyp | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 6A | ||
Antal ben 24 | ||
Kapseltyp QFN | ||
Falltid 15ns | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Antal utgångar 5 | ||
Stigtid 15ns | ||
Minsta matningsspänning 22V | ||
Antal drivare 1 | ||
Maximal matningsspänning 22V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Serie NCP51705 | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 0.95mm | ||
Längd 4mm | ||
Bredd 4 mm | ||
Fästetyp Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The NCP51705 driver is designed to primarily drive SiC MOSFET transistors. To achieve the lowest possible conduction losses, the driver is capable to deliver the maximum allowable gate voltage to the SiC MOSFET device. By providing high peak current during turn−on and turn−off, switching losses are also minimized. For improved reliability, dV/dt immunity and even faster turn−off, the NCP51705 can utilize its on−board charge pump to generate a user selectable negative voltage rail.
Allow independent Turn-ON/Turn-OFF Adjustment
Efficient SiC MOSFET Operation during the Conduction Period
Fast Turn-off and Robust dV/dt Immunity
Minimize complexity of bias supply in isolated gate drive applications
Sufficient VGS amplitude to match SiC best performance
Self protection of the design