AEC-Q100 Infineon MOSFET, MOSFET 2, 1 A, 8 Ben 15V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 170-2346
- Tillv. art.nr:
- AUIR2085STR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
363,44 kr
(exkl. moms)
454,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 710 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 36,344 kr | 363,44 kr |
| 20 - 40 | 34,53 kr | 345,30 kr |
| 50 - 90 | 33,074 kr | 330,74 kr |
| 100 - 240 | 31,606 kr | 316,06 kr |
| 250 + | 29,434 kr | 294,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 170-2346
- Tillv. art.nr:
- AUIR2085STR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 1A | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Falltid | 30ns | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 60ns | |
| Minsta matningsspänning | 15V | |
| Maximal matningsspänning | 15V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Längd | 4.98mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | AUIR2085S | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 1A | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Falltid 30ns | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 60ns | ||
Minsta matningsspänning 15V | ||
Maximal matningsspänning 15V | ||
Antal drivare 2 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Höjd 1.5mm | ||
Längd 4.98mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie AUIR2085S | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
Vår portfölj av gate-drivkretsar hjälper till att förenkla design och optimera prestanda i alla drivsteg för fetter och IGBT:er
Enkel primär sidostyrningslösning för att möjliggöra DC-bussomvandlare med halvbrygga för 48 V distribuerade system med minskat antal komponenter och kortutrymme
Integrerad oscillator med 50 % arbetscykel och halvbrygga IC i ett enda SO-8-paket
Programmerbar omkopplingsfrekvens med upp till 500 kHz max per kanal
+/- 1 A drivströmskapacitet optimerad för MOSFET-transistorer med låg laddning
Justerbar dödtid 50 ns - 200 ns
Flytande kanal utformad för bootstrap-drift upp till +100 V DC
Pulsbredd på hög och låg sida som matchar +/- 25 ns
Justerbart överströmsskydd
Spärr vid underspänning och intern mjukstart
Blyfri
Måltillämpningar:
Fordonsindustrin 48 V DC-DC
Fordonsindustrin 12 V DC-DC
Avgaser
Piezo-injektion
Solenoidinsprutning
Relaterade länkar
- AEC-Q100 Infineon MOSFET, MOSFET 2, 1 A, 8 Ben 15 V, SOIC
- AEC-Q100 Infineon MOSFET, MOSFET 2, 300 mA, 8 Ben 36V, SOIC-8
- AEC-Q100 Infineon MOSFET, MOSFET 2, 1.9 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- AEC-Q100 Infineon MOSFET, Gate-drivare 2, 200 mA, 8 Ben 20 V, SOIC
- AEC-Q100 Infineon MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT 1, 290 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- AEC-Q100 Infineon MOSFET, MOSFET 2, 2.5 A, 16 Ben 20 V, SOIC
- AEC-Q100 onsemi MOSFET, MOSFET 1, 2.5 A, 8 Ben 6 V, SOIC-8
- AEC-Q100 onsemi MOSFET, MOSFET 1, 2.5 A, 8 Ben 18 V, SOIC-8