Infineon MOSFET, MOSFET 6, 0.5 A, 28 Ben 20 V, PDIP
- RS-artikelnummer:
- 300-199
- Tillv. art.nr:
- IR2130PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
136,86 kr
(exkl. moms)
171,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Sista RS lager
- 15 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Sista 252 enhet(er) levereras från den 10 mars 2026
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 136,86 kr |
| 5 - 9 | 129,92 kr |
| 10 - 24 | 127,23 kr |
| 25 - 49 | 118,94 kr |
| 50 + | 110,88 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 300-199
- Tillv. art.nr:
- IR2130PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 0.5A | |
| Antal ben | 28 | |
| Kapseltyp | PDIP | |
| Falltid | 35ns | |
| Antal utgångar | 6 | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 80ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Antal drivare | 6 | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | IR2130 | |
| Längd | 39.75mm | |
| Bredd | 14.73 mm | |
| Höjd | 6.35mm | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 0.5A | ||
Antal ben 28 | ||
Kapseltyp PDIP | ||
Falltid 35ns | ||
Antal utgångar 6 | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 80ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Antal drivare 6 | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie IR2130 | ||
Längd 39.75mm | ||
Bredd 14.73 mm | ||
Höjd 6.35mm | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Fordonsstandard Nej | ||
MOSFET- och IGBT-grinddrivare, trefas, Infineon
En serie fullbryggsdrivdon som är utformade för att styra MOSFET- och IGBT-enheter i 3-fasapplikationer. Enheterna har en maximal blockeringsspänning på 600 V och lågsidestyrning med CMOS- och TTL-kompatibla signalnivåer.