onsemi MOSFET, MOSFET 1, 9 A, 8 Ben 20 V, SOIC-8 NB
- RS-artikelnummer:
- 220-558
- Tillv. art.nr:
- NCP51752CDDR2G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 5 enheter)*
186,14 kr
(exkl. moms)
232,675 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 500 enhet(er) levereras från den 01 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 37,228 kr | 186,14 kr |
| 50 - 95 | 35,392 kr | 176,96 kr |
| 100 - 495 | 32,772 kr | 163,86 kr |
| 500 - 995 | 30,128 kr | 150,64 kr |
| 1000 + | 29,03 kr | 145,15 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-558
- Tillv. art.nr:
- NCP51752CDDR2G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 9A | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | SOIC-8 NB | |
| Falltid | 8.3ns | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 22ns | |
| Minsta matningsspänning | 3V | |
| Antal drivare | 1 | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Serie | NCP51752 | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q100-011, GB4943.1-2011, IEC 62386-1, UL1577 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 9A | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp SOIC-8 NB | ||
Falltid 8.3ns | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 22ns | ||
Minsta matningsspänning 3V | ||
Antal drivare 1 | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Serie NCP51752 | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.75mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q100-011, GB4943.1-2011, IEC 62386-1, UL1577 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
ON Semiconductors isolerade grinddrivare med en kanal med 4,5 A/9 A källström respektive toppström. De är utformade för snabb omkoppling för att driva effekt-MOSFET- och SiC-MOSFET-effektswitchar.
Minsta CMTI på 200 V/ns dV/dt
Negativ 5−V-hanteringskapacitet på ingångsstift
Relaterade länkar
- AEC-Q100 onsemi MOSFET, MOSFET 1, 9 A, 8 Ben 20 V, SOIC-8 NB
- AEC-Q100 onsemi Isolerad gate.drivare, Gate-drivarmodul 1, 9 A, 8 Ben 30 V, SOIC-8 NB
- onsemi MOSFET, MOSFET 2, 0.65 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- onsemi MOSFET, MOSFET 2, 0.18 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- onsemi MOSFET, MOSFET 2, 5 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- onsemi MOSFET, MOSFET 1, 10 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- onsemi MOSFET, MOSFET 1, 2 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- onsemi MOSFET, MOSFET 2, 500 mA, 8 Ben 20 V, SOIC
