Infineon, Serie-SPI Seriell (SPI) F-RAM 256 kB, 32k x 8 bit, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC

Se alla FRAM-minne
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 97 enheter)*

5 723,194 kr

(exkl. moms)

7 153,944 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 776 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
97 - 9759,002 kr5 723,19 kr
194 +52,57 kr5 099,29 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-7388
Tillv. art.nr:
FM25V02A-G
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Minnesstorlek

256kB

Produkttyp

Seriell (SPI) F-RAM

Organisation

32k x 8 bit

Gränssnittstyp

Serie-SPI

Databussbredd

8bit

Maximal klockfrekvens

40MHz

Kapseltyp

SOIC

Antal ben

8

Standarder/godkännanden

RoHS

Maximal arbetstemperatur

85°C

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Fordonsstandard

Nej

Minsta matningsspänning

2V

Antal ord

32k

Antal bitar per ord

8

Maximal matningsspänning

3.6V

Infineon FRAM är ett 256 Kbit icke-flyktigt minne med en avancerad ferroelektrisk process. Ett ferroelektriskt minne med slumpmässig åtkomst eller FRAM är icke-flyktigt och läser och skriver på samma sätt som ett RAM. Den ger tillförlitlig lagring av data i 151 år samtidigt som den eliminerar komplexiteten, överbelastningen och tillförlitlighetsproblemen på systemnivå som orsakas av seriell flash, EEPROM och andra icke-flyktiga minnen. Till skillnad från seriell flash och EEPROM utför den skrivoperationer med busshastighet. Det uppstår inga skrivfördröjningar. Data skrivs till minnesarray omedelbart efter att varje byte har överförts till enheten. Nästa busscykel kan påbörjas utan behov av dataundersökning. Dessutom erbjuder produkten betydande skrivhållfasthet jämfört med andra icke-flyktiga minnen.

RoHS-kompatibel

Låg strömförbrukning

Mycket snabbt seriella kringutrustningsgränssnitt

Förfinat skrivskyddssystem

Hög hållbarhet 100 biljoner läs- och skrivfunktioner

Avancerad ferroelektrisk process med hög tillförlitlighet

Relaterade länkar