Infineon AEC-Q100, 2-tråds I2C FRAM 16 kB, 2K x 8 bitar, 3000 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC

För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
188-5400
Tillv. art.nr:
FM24CL16B-G
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Minnesstorlek

16kB

Produkttyp

FRAM

Organisation

2K x 8 bitar

Gränssnittstyp

2-tråds I2C

Databussbredd

8bit

Maximal slumpmässig åtkomsttid

3000ns

Maximal klockfrekvens

1MHz

Typ av fäste

Yta

Kapseltyp

SOIC

Antal ben

8

Höjd

1.38mm

Längd

4.97mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

3.98mm

Maximal arbetstemperatur

85°C

Antal ord

2k

Minsta matningsspänning

2.7V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Antal bitar per ord

8

Maximal matningsspänning

3.65V

Fordonsstandard

AEC-Q100

COO (ursprungsland):
US

FRAM, Cypress-halvledare


Ferroelektriskt minne med slumpmässig åtkomst (F-RAM) är energieffektivt och har den högsta tillförlitligheten bland icke-flyktiga RAM-minnen för både seriella och parallella gränssnitt. Delar med suffix A är utformade för fordonstillämpningar och är AEC-Q100-kvalificerade.

Icke-flyktigt ferroelektriskt RAM-minne

Snabb skrivhastighet

Hög uthållighet

Låg strömförbrukning

FRAM (ferroelektriskt RAM)


FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) är ett icke-flyktigt minne som använder ferroelektrisk film som kondensator för lagring av data. F-RAM har egenskaper för både ROM- och RAM-enheter och har höghastighetsåtkomst, hög uthållighet i skrivläge, låg strömförbrukning, icke-flyktighet och utmärkt sabotagebeständighet. Det är därför ett perfekt minne för användning i smartkort som behöver hög säkerhet och låg strömförbrukning, samt mobiltelefoner och andra enheter.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.