Infineon AEC-Q100, 2-tråds I2C FRAM 256 kB, 32K x 8 Bit, 3000 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC

Se alla FRAM-minne
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 97 enheter)*

4 197,869 kr

(exkl. moms)

5 247,312 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 873 enhet(er) levereras från den 16 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
97 - 9743,277 kr4 197,87 kr
194 - 19438,906 kr3 773,88 kr
291 - 48538,69 kr3 752,93 kr
582 - 97036,221 kr3 513,44 kr
1067 +35,285 kr3 422,65 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
188-5407
Tillv. art.nr:
FM24W256-G
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

FRAM

Minnesstorlek

256kB

Organisation

32K x 8 Bit

Gränssnittstyp

2-tråds I2C

Databussbredd

8bit

Maximal slumpmässig åtkomsttid

3000ns

Maximal klockfrekvens

1MHz

Fästetyp

Yta

Kapseltyp

SOIC

Antal ben

8

Bredd

3.98 mm

Längd

4.97mm

Höjd

1.38mm

Standarder/godkännanden

No

Maximal arbetstemperatur

85°C

Fordonsstandard

AEC-Q100

Minsta matningsspänning

2.7V

Maximal matningsspänning

5.5V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Antal bitar per ord

8

Antal ord

32k

COO (ursprungsland):
US

FRAM, Cypress-halvledare


Ferroelektriskt minne med slumpmässig åtkomst (F-RAM) är energieffektivt och har den högsta tillförlitligheten bland icke-flyktiga RAM-minnen för både seriella och parallella gränssnitt. Delar med suffix A är utformade för fordonstillämpningar och är AEC-Q100-kvalificerade.

Icke-flyktigt ferroelektriskt RAM-minne

Snabb skrivhastighet

Hög uthållighet

Låg strömförbrukning

FRAM (ferroelektriskt RAM)


FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) är ett icke-flyktigt minne som använder ferroelektrisk film som kondensator för lagring av data. F-RAM har egenskaper för både ROM- och RAM-enheter och har höghastighetsåtkomst, hög uthållighet i skrivläge, låg strömförbrukning, icke-flyktighet och utmärkt sabotagebeständighet. Det är därför ett perfekt minne för användning i smartkort som behöver hög säkerhet och låg strömförbrukning, samt mobiltelefoner och andra enheter.

Relaterade länkar