Infineon, SPI NOR 512 MB Flash-minne, 8 Ben, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 273-5425
- Tillv. art.nr:
- S25HL512TFAMHI010
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 fack med 240 enheter)*
13 579,68 kr
(exkl. moms)
16 974,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 20 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per fack* |
|---|---|---|
| 240 + | 56,582 kr | 13 579,68 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5425
- Tillv. art.nr:
- S25HL512TFAMHI010
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Minnesstorlek | 512MB | |
| Produkttyp | Flash-minne | |
| Gränssnittstyp | SPI | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal klockfrekvens | 166MHz | |
| Celltyp | NOR | |
| Minsta matningsspänning | 1.7V | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Standarder/godkännanden | ISO26262 ASIL B and ASIL D ready | |
| Serie | SEMPER Flash | |
| Matningsström | 53mA | |
| Fordonsstandard | AEC-Q1 Grad 1 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Minnesstorlek 512MB | ||
Produkttyp Flash-minne | ||
Gränssnittstyp SPI | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal klockfrekvens 166MHz | ||
Celltyp NOR | ||
Minsta matningsspänning 1.7V | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Standarder/godkännanden ISO26262 ASIL B and ASIL D ready | ||
Serie SEMPER Flash | ||
Matningsström 53mA | ||
Fordonsstandard AEC-Q1 Grad 1 | ||
Infineon Flash-minne är en produktfamilj med fyra SPI-enheter som har höghastighets CMOS, MIRRORBITTM NOR Flash-enheter. Detta flashminne är utformat för funktionell säkerhet med utveckling enligt ISO 26262-standarden för att uppnå ASIL B-kompatibilitet och ASIL D-beredskap. Läsoperationer från enheten är sprängorienterade. Läsningstransaktioner kan konfigureras för att använda antingen en insvept eller linjär utbrott. Wrapped bursts läser från en enda sida, medan linjära bursts kan läsa hela minnesarray.
Legacy Block-skydd
SSDR-alternativet körs upp till 21 MB/s
OTP-säker silikonmatris på 1024 byte
Detekterbara parametrar för seriella blixtnedslag
Minst 100 000 program- och raderingscykler
