Winbond, Parallell SLC NAND 2 GB Flash-minne, 25 μs, 63 Ben, VFBGA

Antal (1 fack med 210 enheter)*

9 114,84 kr

(exkl. moms)

11 393,55 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 29 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
210 +43,404 kr9 114,84 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
188-2555
Tillv. art.nr:
W29N02GVBIAA
Tillverkare / varumärke:
Winbond
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Winbond

Produkttyp

Flash-minne

Minnesstorlek

2GB

Gränssnittstyp

Parallell

Kapseltyp

VFBGA

Antal ben

63

Typ av fäste

Yta

Celltyp

SLC NAND

Maximal matningsspänning

3.6V

Minsta matningsspänning

2.7V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

85°C

Höjd

0.6mm

Längd

11.1mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Antal ord

256M

Serie

W29N02GV

Antal bitar per ord

8

Matningsström

35mA

Maximal slumpmässig åtkomsttid

25μs

Density : 2Gbit (Single chip solution)

Vcc : 2.7V to 3.6V

Bus width : x8

Operating temperature

Industrial: -40°C to 85°C

Single-Level Cell (SLC) technology.

Organization

Density: 2G-bit/256M-byte

Page size

2,112 bytes (2048 + 64 bytes)

Block size

64 pages (128K + 4K bytes)

Highest Performance

Read performance (Max.)

Random read: 25us

Sequential read cycle: 25ns

Write Erase performance

Page program time: 250us(typ.)

Block erase time: 2ms(typ.)

Endurance 100,000 Erase/Program Cycles(2)

10-years data retention

Command set

Standard NAND command set

Additional command support

Sequential Cache Read

Random Cache Read

Cache Program

Copy Back

Two-plane operation

Contact Winbond for OTP feature

Contact Winbond for block Lock feature

Lowest power consumption

Read: 25mA(typ.3V)

Program/Erase: 25mA(typ.3V)

CMOS standby: 10uA(typ.)

Space Efficient Packaging

48-pin standard TSOP1

63-ball VFBGA

2Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.

Bus Width: x8

Random Read: 25us

Page Program Time: 250us(typ.)

Block Erase Time: 2ms(typ.)

Support OTP Memory Area

Relaterade länkar