Alliance Memory, Parallell NAND 2 GB Flash-minne, 25 μs, 63 Ben, FBGA
- RS-artikelnummer:
- 665-374
- Tillv. art.nr:
- AS9F32G08SA-25BIN
- Tillverkare / varumärke:
- Alliance Memory
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
129,99 kr
(exkl. moms)
162,49 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 + | 64,995 kr | 129,99 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 665-374
- Tillv. art.nr:
- AS9F32G08SA-25BIN
- Tillverkare / varumärke:
- Alliance Memory
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Alliance Memory | |
| Produkttyp | Flash-minne | |
| Minnesstorlek | 2GB | |
| Gränssnittstyp | Parallell | |
| Kapseltyp | FBGA | |
| Antal ben | 63 | |
| Celltyp | NAND | |
| Minsta matningsspänning | 1.7V | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 105°C | |
| Standarder/godkännanden | ONFI 1.0, RoHS | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 11mm | |
| Bredd | 9mm | |
| Antal bitar per ord | 16 | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 25μs | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Serie | AS9Fxx | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Alliance Memory | ||
Produkttyp Flash-minne | ||
Minnesstorlek 2GB | ||
Gränssnittstyp Parallell | ||
Kapseltyp FBGA | ||
Antal ben 63 | ||
Celltyp NAND | ||
Minsta matningsspänning 1.7V | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 105°C | ||
Standarder/godkännanden ONFI 1.0, RoHS | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 11mm | ||
Bredd 9mm | ||
Antal bitar per ord 16 | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 25μs | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Serie AS9Fxx | ||
- COO (ursprungsland):
- KR
Alliance Memory 2 Gb SLC Parallell NAND Flash har ett x8-bitars I/O-gränssnitt och drivs med en strömförsörjning på 3,3 V Vcc. Utformad med kostnadseffektivitet i åtanke, dess NAND-cellstruktur erbjuder en effektiv lösning för halvledarmasslagring. Minnet är indelat i oberoende raderbara block, vilket gör det möjligt att bevara giltiga data medan gamla data raderas. Kommandon, data och adresser introduceras synkront med CE-, WE-, RE-, ALE- och CLE-ingångsstift. En inbyggd programmerings- och raderingsstyrenhet automatiserar alla programmerings- och raderingsoperationer, inklusive pulsrepetition, intern verifiering och datamarginal. Modify-operationer kan säkras med hjälp av WP-ingången för att förhindra oavsiktliga ändringar.
Copy Back-program gör snabb datakopiering utan extern buffring
Cache-läsbuffert för att förbättra läsflödet
Chip Enable Don't Care Enkelt gränssnitt med mikrokontroller
Register för normal status och programradering av läsning
Program för radering av maskinvaruskydd, låst under strömövergångar
Relaterade länkar
- Alliance Memory, Parallell SLC NAND 4 GB Flash-minne, 30 μs, 63 Ben, 63-bollars FBGA
- Alliance Memory, Parallell SLC NAND 8 GB Flash-minne, 25 μs, 63 Ben, 63-bollars FBGA
- Alliance Memory NAND 10 GB Flash-minne, FBGA
- Alliance Memory NAND 5 GB Flash-minne, FBGA
- Alliance Memory, EMMC NAND 32000 MB Flash-minne, 153 Ben, FBGA
- Alliance Memory, EMMC NAND 64000 MB Flash-minne, 153 Ben, FBGA
- Alliance Memory, EMMC NAND 128000 MB Flash-minne, 153 Ben, FBGA
- Alliance Memory, EMMC NAND 16 GB Flash-minne, 153 Ben, FBGA