ROHM Effektswitch IC, 46 Ben Lastväxlare Hög sida VQFN046V8080

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 längd med 2 enheter)*

190,29 kr

(exkl. moms)

237,862 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per tejp*
2 - 895,145 kr190,29 kr
10 +93,185 kr186,37 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
687-350
Tillv. art.nr:
BM3G115MUV-LBE2
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

Effektswitch IC

Strömbrytartyp

Lastväxlare

Strömbrytartopologi

Hög sida

Motstånd vid påslagning RdsOn

150mΩ

Kapseltyp

VQFN046V8080

Minsta matningsspänning

5.5V

Maximal matningsspänning

650V

Antal ben

46

Maximal arbetstemperatur

105°C

Driftström

12.2A

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

ROHM 650 V GaN HEMT Power Stage integrerar en silikondrivare i originalförpackningen, vilket minskar parasitisk induktans avsevärt jämfört med traditionella diskreta lösningar. Den levererar en hög omkopplingshastighet på upp till 150 V/ns, med justerbar grindstyrning för att minimera EMI. Inbyggda skydd och ytterligare funktioner hjälper till att optimera kostnaden och minska kretskortsstorleken. Utformad för kompatibilitet med stora befintliga styrenheter, fungerar den som en effektiv ersättning för traditionella diskreta strömbrytare som superkopplings-MOSFET.

Brett arbetsområde för VDD-stiftspänning

Brett arbetsområde för IN-stiftspänning

Låg VDD viloström och driftström

Låg spridningsfördröjning

Justerbar grindstyrningstyrka

Power good-signalutgång

VVDD UVLO-skydd

Termiskt avstängningsskydd

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.