ROHM Effektswitch IC, 46 Ben Lastväxlare Hög sida VQFN046V8080

Se alla Effektswitchkretsar
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 2 enheter)*

371,78 kr

(exkl. moms)

464,72 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
2 - 8185,89 kr371,78 kr
10 +182,155 kr364,31 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
687-350
Tillv. art.nr:
BM3G115MUV-LBE2
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Strömbrytartopologi

Hög sida

Produkttyp

Effektswitch IC

Strömbrytartyp

Lastväxlare

Motstånd vid påslagning RdsOn

150mΩ

Antal utgångar

1

Minsta matningsspänning

5.5V

Kapseltyp

VQFN046V8080

Antal ben

46

Maximal matningsspänning

650V

Driftström

12.2A

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

105°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The ROHM 650 V GaN HEMT Power Stage integrates a silicon driver within original package, significantly reducing parasitic inductance compared to traditional discrete solutions. It delivers a high switching slew rate of up to 150 V/ns, with adjustable gate drive strength to minimize EMI. Built-in protections and additional features help optimize cost and reduce PCB size. Designed for compatibility with major existing controllers, it serves as an efficient replacement for traditional discrete power switches such as super junction MOSFETs.

Wide operating range for VDD pin voltage

Wide operating range for IN pin voltage

Low VDD quiescent and operating current

Low propagation delay

Adjustable gate drive strength

Power good signal output

VDD UVLO protection

Thermal shutdown protection

Relaterade länkar