ROHM Effektswitch IC, 46 Ben Hög sida Hög sida BM3G005MUV-LB VQFN046V8080

Se alla Effektswitchkretsar
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 2 enheter)*

288,18 kr

(exkl. moms)

360,22 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
2 - 8144,09 kr288,18 kr
10 +139,83 kr279,66 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
646-596
Tillv. art.nr:
BM3G005MUV-LBE2
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Strömbrytartopologi

Hög sida

Produkttyp

Effektswitch IC

Strömbrytartyp

Hög sida

Motstånd vid påslagning RdsOn

50mΩ

Minsta matningsspänning

6.83V

Kapseltyp

VQFN046V8080

Maximal matningsspänning

650V

Antal ben

46

Maximal arbetstemperatur

105°C

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Driftström

2.2mA

Längd

8mm

Bredd

8.0 mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.0mm

Serie

BM3G005MUV-LB

Fordonsstandard

Nej

The ROHM GaN HEMT Power Stage is a high-performance product designed for the industrial equipment market, providing an optimal solution for electronics systems that require high power density and efficiency. By integrating the 650V enhancement GaN HEMT and silicon driver into ROHM’s original package, the product significantly reduces parasitic inductance caused by PCB and wire bonding, compared to traditional discrete solutions. This innovation enables a high switching slew rate of up to 150V/ns, making it the ideal choice for applications demanding fast switching and superior efficiency.

Low VDD Quiescent and Operating Current

Low Propagation Delay

High dv/dt Immunity

Adjustable Gate Drive Strength

Power Good Signal Output

VDD UVLO Protection

Thermal Shutdown Protection

Relaterade länkar