ROHM Effektswitch IC, 46 Ben Hög sida Hög sida BM3G005MUV-LB VQFN046V8080
- RS-artikelnummer:
- 646-596
- Tillv. art.nr:
- BM3G005MUV-LBE2
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 2 enheter)*
288,18 kr
(exkl. moms)
360,22 kr
(inkl. moms)
Lägg till 4 enheter för att få fri frakt
I lager
- 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 144,09 kr | 288,18 kr |
| 10 + | 139,83 kr | 279,66 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 646-596
- Tillv. art.nr:
- BM3G005MUV-LBE2
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | Effektswitch IC | |
| Strömbrytartopologi | Hög sida | |
| Strömbrytartyp | Hög sida | |
| Motstånd vid påslagning RdsOn | 50mΩ | |
| Kapseltyp | VQFN046V8080 | |
| Minsta matningsspänning | 6.83V | |
| Antal ben | 46 | |
| Maximal matningsspänning | 650V | |
| Maximal arbetstemperatur | 105°C | |
| Driftström | 2.2mA | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.0mm | |
| Längd | 8mm | |
| Bredd | 8.0 mm | |
| Serie | BM3G005MUV-LB | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp Effektswitch IC | ||
Strömbrytartopologi Hög sida | ||
Strömbrytartyp Hög sida | ||
Motstånd vid påslagning RdsOn 50mΩ | ||
Kapseltyp VQFN046V8080 | ||
Minsta matningsspänning 6.83V | ||
Antal ben 46 | ||
Maximal matningsspänning 650V | ||
Maximal arbetstemperatur 105°C | ||
Driftström 2.2mA | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.0mm | ||
Längd 8mm | ||
Bredd 8.0 mm | ||
Serie BM3G005MUV-LB | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The ROHM GaN HEMT Power Stage is a high-performance product designed for the industrial equipment market, providing an optimal solution for electronics systems that require high power density and efficiency. By integrating the 650V enhancement GaN HEMT and silicon driver into ROHM’s original package, the product significantly reduces parasitic inductance caused by PCB and wire bonding, compared to traditional discrete solutions. This innovation enables a high switching slew rate of up to 150V/ns, making it the ideal choice for applications demanding fast switching and superior efficiency.
Low VDD Quiescent and Operating Current
Low Propagation Delay
High dv/dt Immunity
Adjustable Gate Drive Strength
Power Good Signal Output
VDD UVLO Protection
Thermal Shutdown Protection