STMicroelectronics Serial-I2C 1 MB EEPROM, 500 ns, Yta 8 Ben SO-8

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 100 enheter)*

914,80 kr

(exkl. moms)

1 143,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
100 - 4009,148 kr914,80 kr
500 - 9009,057 kr905,70 kr
1000 - 24008,663 kr866,30 kr
2500 - 49008,444 kr844,40 kr
5000 +8,233 kr823,30 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
196-1986
Tillv. art.nr:
M24M01-RMN6P
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

STMicroelectronics

Produkttyp

EEPROM

Minnesstorlek

1MB

Gränssnittstyp

Serial-I2C

Kapseltyp

SO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal klockfrekvens

1MHz

Organisation

128K x 8 bit

Minsta matningsspänning

1.8V

Antal bitar per ord

8

Maximal matningsspänning

5.5V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

85°C

Längd

5mm

Bredd

150 mm

Serie

M24M01-A125

Höjd

1.75mm

Standarder/godkännanden

No

Datalagring

200year

Maximal slumpmässig åtkomsttid

500ns

Matningsström

2mA

Fordonsstandard

AEC-Q100

Antal ord

128k

COO (ursprungsland):
CN
The M24M01 is a 1 Mbit I2C-compatible EEPROM (Electrically Erasable PROgrammable Memory) organized as 128 K x 8 bits.

The M24M01-R can operate with a supply voltage from 1.8 V to 5.5 V, and the M24M01-DF can operate with a supply voltage from 1.7 V to 5.5 V, over an ambient temperature range of –40 °C / +85 °C.

Compatible with all I2C bus modes:

1 MHz

400 kHz

100 kHz

Memory array:

1 Mbit (128 Kbyte) of EEPROM

Page size: 256 byte

Additional Write lockable page (M24M01-D order codes)

Single supply voltage and high speed:

1 MHz clock from 1.7 V to 5.5 V

Write:

Byte Write within 5 ms

Page Write within 5 ms

Operating temperature range:

from -40 °C up to +85 °C

Random and sequential Read modes

Write protect of the whole memory array

Enhanced ESD/Latch-Up protection

More than 4 million Write cycles

More than 200-years data retention

Relaterade länkar