Microchip Parallell 256 kB Parallell EEPROM, 120 ns, Yta 32 Ben PLCC

Se alla EEPROM
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

119,62 kr

(exkl. moms)

149,52 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 64 enhet(er) levereras från den 19 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 24119,62 kr
25 - 99115,81 kr
100 +111,78 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
177-1707
Tillv. art.nr:
AT28HC256-12JU
Tillverkare / varumärke:
Microchip
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Microchip

Minnesstorlek

256kB

Produkttyp

Parallell EEPROM

Gränssnittstyp

Parallell

Kapseltyp

PLCC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

32

Maximal klockfrekvens

5MHz

Minsta matningsspänning

4.5V

Antal bitar per ord

8

Maximal matningsspänning

5.5V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

85°C

Höjd

3.5mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

12.5mm

Serie

AT28HC256

Fordonsstandard

Nej

Antal ord

32768

Maximal slumpmässig åtkomsttid

120ns

Matningsström

80mA

Datalagring

10year

COO (ursprungsland):
TW
The Microchip AT28HC256 is a high-performance 256Kbit Parallel EEPROM available in both Industrial and Military temp ranges, offering access times to 70ns with power dissipation of 440mW. Deselected, CMOS standby current is less than 5mA. Accessed like static RAM for the read or write cycle without external components, it contains a 64-byte page register to allow writing of up to 64 bytes simultaneously. Features an internal Error Correction Circuit for extended endurance and improved data retention, in Military version. Optional Software Data Protection mechanism guards against inadvertent writes, and an extra 64 bytes of EEPROM enables device identification or tracking.

Additional Features:

32 Kbits x 8 (256 Kbit)

5V ± 10% Supply

Parallel Interface

150ns access time

self-Timed Erase and Write Cycles (10 ms max)

Page Write and Byte Write

Data Polling for end of write detection

Low Power Consumption:

Read / Write current 40 mA (Max)

Standby current TTL 2 mA (Max), CMOS 200 μA (Max)

Relaterade länkar