Microchip Parallell 256 kB Parallell EEPROM, 120 ns, Yta 32 Ben PLCC

Se alla EEPROM
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

119,62 kr

(exkl. moms)

149,52 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 07 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 24119,62 kr
25 - 99115,81 kr
100 +111,78 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
177-1707
Tillv. art.nr:
AT28HC256-12JU
Tillverkare / varumärke:
Microchip
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Microchip

Minnesstorlek

256kB

Produkttyp

Parallell EEPROM

Gränssnittstyp

Parallell

Kapseltyp

PLCC

Fästetyp

Yta

Antal ben

32

Maximal klockfrekvens

5MHz

Organisation

32K x 8 Bit

Minsta matningsspänning

4.5V

Antal bitar per ord

8

Maximal matningsspänning

5.5V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

85°C

Standarder/godkännanden

No

Serie

AT28HC256

Längd

12.5mm

Höjd

3.5mm

Bredd

15 mm

Maximal slumpmässig åtkomsttid

120ns

Datalagring

10year

Antal ord

32768

Matningsström

80mA

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
TW
The Microchip AT28HC256 is a high-performance 256Kbit Parallel EEPROM available in both Industrial and Military temp ranges, offering access times to 70ns with power dissipation of 440mW. Deselected, CMOS standby current is less than 5mA. Accessed like static RAM for the read or write cycle without external components, it contains a 64-byte page register to allow writing of up to 64 bytes simultaneously. Features an internal Error Correction Circuit for extended endurance and improved data retention, in Military version. Optional Software Data Protection mechanism guards against inadvertent writes, and an extra 64 bytes of EEPROM enables device identification or tracking.

Additional Features:

32 Kbits x 8 (256 Kbit)

5V ± 10% Supply

Parallel Interface

150ns access time

self-Timed Erase and Write Cycles (10 ms max)

Page Write and Byte Write

Data Polling for end of write detection

Low Power Consumption:

Read / Write current 40 mA (Max)

Standby current TTL 2 mA (Max), CMOS 200 μA (Max)

Relaterade länkar