onsemi, Darlington-transistor 1 2 A NPN 80 V HFE500, 3 Ben, TO-220

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

75,26 kr

(exkl. moms)

94,08 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 410 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +7,526 kr75,26 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
790-5482
Tillv. art.nr:
TIP111G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

Darlington-transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

2A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

80V

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Antal element per chip

1

Minsta DC-strömförstärkning hFE

500

Maximal basspänning för emittern VEBO

5V

Maximal effektförlust Pd

50W

Maximal basspänning för kollektor VCBO

80V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.5V

Transistorns polaritet

NPN

Minsta arbetsstemperatur

-65°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.28mm

Serie

TIP110

Höjd

15.75mm

Maximal kollektor-cut-off-ström

2mA

Fordonsstandard

Nej

ON Semiconductor TIP111 är en bipolär Darlington-effekttransistor som är utformad för allroundförstärkare och låghastighetsomkopplingstillämpningar. Höljetypen om denna bipolära Darlington är TO−220.

Hög DC-strömförstärkning

Dessa enheter är blyfria och överensstämmer med RoHS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.