onsemi, Darlington-transistor 1 2 A NPN 80 V HFE500, 3 Ben, TO-220

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

75,26 kr

(exkl. moms)

94,08 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 410 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +7,526 kr75,26 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
790-5482
Tillv. art.nr:
TIP111G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

Darlington-transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

2A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

80V

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Antal element per chip

1

Minsta DC-strömförstärkning hFE

500

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.5V

Maximal basspänning för kollektor VCBO

80V

Transistorns polaritet

NPN

Maximal basspänning för emittern VEBO

5V

Minsta arbetsstemperatur

-65°C

Maximal effektförlust Pd

50W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.28mm

Höjd

15.75mm

Serie

TIP110

Standarder/godkännanden

No

Maximal kollektor-cut-off-ström

2mA

Fordonsstandard

Nej

ON Semiconductor TIP111 är en bipolär Darlington-effekttransistor som är utformad för allroundförstärkare och låghastighetsomkopplingstillämpningar. Höljetypen om denna bipolära Darlington är TO−220.

Hög DC-strömförstärkning

Dessa enheter är blyfria och överensstämmer med RoHS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.