onsemi, Darlington-transistor 1 2 A NPN 80 V HFE500, 3 Ben, TO-220
- RS-artikelnummer:
- 178-4776
- Tillv. art.nr:
- TIP111G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
382,15 kr
(exkl. moms)
477,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 400 enhet(er) från den 09 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 7,643 kr | 382,15 kr |
| 100 - 450 | 5,354 kr | 267,70 kr |
| 500 - 950 | 4,608 kr | 230,40 kr |
| 1000 - 2450 | 3,94 kr | 197,00 kr |
| 2500 + | 3,922 kr | 196,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-4776
- Tillv. art.nr:
- TIP111G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | Darlington-transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 2A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 80V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Minsta DC-strömförstärkning hFE | 500 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal basspänning för emittern VEBO | 5V | |
| Transistorns polaritet | NPN | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 50W | |
| Maximal basspänning för kollektor VCBO | 80V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 15.75mm | |
| Serie | TIP110 | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.28mm | |
| Maximal kollektor-cut-off-ström | 2mA | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp Darlington-transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 2A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 80V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Antal element per chip 1 | ||
Minsta DC-strömförstärkning hFE 500 | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal basspänning för emittern VEBO 5V | ||
Transistorns polaritet NPN | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.5V | ||
Maximal effektförlust Pd 50W | ||
Maximal basspänning för kollektor VCBO 80V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 15.75mm | ||
Serie TIP110 | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.28mm | ||
Maximal kollektor-cut-off-ström 2mA | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor TIP111 är en bipolär Darlington-effekttransistor som är utformad för allroundförstärkare och låghastighetsomkopplingstillämpningar. Höljetypen om denna bipolära Darlington är TO−220.
Hög DC-strömförstärkning
Dessa enheter är blyfria och överensstämmer med RoHS
Relaterade länkar
- onsemi, Darlington-transistor 1 2 A NPN 80 V HFE500, 3 Ben, TO-220
- onsemi, Darlington-transistor 1 2 A NPN 60 V dc HFE500, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 2 A NPN 100 V HFE500, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 4 A NPN 350 V HFE500, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 10 A NPN 100 V HFE500, 3 Ben, TO-220
- onsemi, Darlington-transistor 1 10 A NPN 100 V HFE500, 3 Ben, TO-247
- onsemi, Darlington-transistor 1 2 A PNP 100 V dc HFE500, 3 Ben, TO-220
- onsemi, Darlington-transistor 1 4 A NPN 80 V HFE2500, 3 Ben, TO-220