STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 8 A PNP 100 V HFE100, 3 Ben, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 686-8142
- Tillv. art.nr:
- MJD127T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
137,88 kr
(exkl. moms)
172,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 4 780 enhet(er) levereras från den 28 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 6,894 kr | 137,88 kr |
| 200 - 480 | 5,949 kr | 118,98 kr |
| 500 + | 4,784 kr | 95,68 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 686-8142
- Tillv. art.nr:
- MJD127T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | Darlington-transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 8A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 100V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Minsta DC-strömförstärkning hFE | 100 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal basspänning för kollektor VCBO | 100V | |
| Transistorns polaritet | PNP | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Maximal basspänning för emittern VEBO | 5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 20W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.6mm | |
| Serie | MJD127 | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Maximal kollektor-cut-off-ström | 0.01mA | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp Darlington-transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 8A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 100V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Antal element per chip 1 | ||
Minsta DC-strömförstärkning hFE 100 | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal basspänning för kollektor VCBO 100V | ||
Transistorns polaritet PNP | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Maximal basspänning för emittern VEBO 5V | ||
Maximal effektförlust Pd 20W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.6mm | ||
Serie MJD127 | ||
Höjd 2.4mm | ||
Maximal kollektor-cut-off-ström 0.01mA | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PNP Darlington-transistorer, STMicroelectronics
Bipolära transistorer, STMicroelectronics
Ett brett utbud av bipolära NPN- och PNP-transistorer från STMicroelectronics inklusive enheter för allmänna ändamål, Darlington, ström och högspänning i både SMT- och genomgående hål.
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 8 A PNP 100 V HFE100, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 8 A NPN 100 V HFE100, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 12 A PNP 100 V HFE100, 3 Ben, TO-220
- onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 1 8 A PNP 100 V HFE100, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 2 A PNP 100 V HFE200, 3 Ben, TO-252
- onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 1 8 A NPN 100 V HFE100, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 12 A NPN 100 V HFE100, 3 Ben, TO-220
- onsemi, Darlington-transistor 1 15 A PNP 250 V HFE100, 3 Ben, TO-247