onsemi, Darlington-transistor 1 5 A PNP 100 V HFE1000, 3 Ben, TO-220
- RS-artikelnummer:
- 545-2361
- Tillv. art.nr:
- TIP127G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
14,56 kr
(exkl. moms)
18,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 39 enhet(er) från den 14 september 2026
- Dessutom levereras 118 enhet(er) från den 14 september 2026
- Dessutom levereras 124 enhet(er) från den 21 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 14,56 kr |
| 10 + | 12,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 545-2361
- Tillv. art.nr:
- TIP127G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | Darlington-transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 5A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 100V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Minsta DC-strömförstärkning hFE | 1000 | |
| Maximal basspänning för emittern VEBO | 5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal basspänning för kollektor VCBO | 100V | |
| Maximal effektförlust Pd | 65W | |
| Transistorns polaritet | PNP | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.28mm | |
| Höjd | 9.28mm | |
| Serie | TIP127 | |
| Maximal kollektor-cut-off-ström | 0.2mA | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp Darlington-transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 5A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 100V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Antal element per chip 1 | ||
Minsta DC-strömförstärkning hFE 1000 | ||
Maximal basspänning för emittern VEBO 5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal basspänning för kollektor VCBO 100V | ||
Maximal effektförlust Pd 65W | ||
Transistorns polaritet PNP | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.28mm | ||
Höjd 9.28mm | ||
Serie TIP127 | ||
Maximal kollektor-cut-off-ström 0.2mA | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- VN
ON Semiconductor TIP127G är en 5 A, 100 V PNP Darlington bipolär effekttransistor. Den är utformad för att användas som en utgångsenhet för allmänt användbara förstärkare.
TIP127G levereras i ett genomhål i plast TO-220AB-hus.
• Hög DC-strömförstärkning
• Låg mättnadsspänning för kollektor-emitter
• Monolitisk konstruktion
• Inbyggt basemitter-shuntmotstånd
• Kompakt paket
• PNP-polaritet
Tillgängliga versioner:
545-2361 - enkel
124-5436 - rör om 50
PNP Darlington-transistorer, ON Semiconductor
Standards
Tillverkarens varunummer med prefixet S eller NSV är godkända för fordonsindustrin enligt AEC-Q101-standarden.
Relaterade länkar
- onsemi, Darlington-transistor 1 5 A PNP 100 V HFE1000, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 5 A PNP/PNP 100 V HFE1000, 3 Ben, TO-220
- onsemi, Darlington-transistor 1 5 A NPN 100 V HFE1000, 3 Ben, TO-220
- onsemi, Darlington-transistor 2 -5 A 80 V HFE1000, 3 Ben, TO-220
- onsemi, Darlington-transistor 1 5 A NPN 60 V HFE1000, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 5 A PNP 60 V HFE1000, 3 Ben, TO-220
- onsemi, Darlington-transistor 1 4 A NPN 60 V dc HFE1000, 3 Ben, TO-220
- onsemi, Darlington-transistor 1 5 A NPN 80 V dc HFE1000, 3 Ben, TO-220