onsemi, Darlington-transistor 1 4 A NPN 60 V dc HFE1000, 3 Ben, TO-220
- RS-artikelnummer:
- 186-7907
- Tillv. art.nr:
- 2N6387G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
88,03 kr
(exkl. moms)
110,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 10 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 8,803 kr | 88,03 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 186-7907
- Tillv. art.nr:
- 2N6387G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | Darlington-transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 4A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 60V dc | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Minsta DC-strömförstärkning hFE | 1000 | |
| Maximal basspänning för emittern VEBO | 5V dc | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 65W | |
| Maximal basspänning för kollektor VCBO | 60V dc | |
| Transistorns polaritet | NPN | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 15.75mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | 2N6388 | |
| Längd | 10.53mm | |
| Maximal kollektor-cut-off-ström | 1mA | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp Darlington-transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 4A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 60V dc | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Antal element per chip 1 | ||
Minsta DC-strömförstärkning hFE 1000 | ||
Maximal basspänning för emittern VEBO 5V dc | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal effektförlust Pd 65W | ||
Maximal basspänning för kollektor VCBO 60V dc | ||
Transistorns polaritet NPN | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 15.75mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie 2N6388 | ||
Längd 10.53mm | ||
Maximal kollektor-cut-off-ström 1mA | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Power 8 A 80 V NPN Darlington bipolär effekttransistor är utformad för allround förstärkare och låghastighetsomkopplingstillämpningar.
Hög DC-strömförstärkning – hFE=2500 (typ) vid Ic=4,0 A DC
Bibehållande spänning för kollektor-sändare - vid 100 mAdc, Vceo(sus) = 60 Vdc (min) - 2N6387, Vceo (sus) = 80 Vdc (min) - 2N6388
Bibehållande spänning för kollektor-sändare - vid 100 mAdc, Vceo(sus) = 60 Vdc (min) - 2N6387, Vceo (sus) = 80 Vdc (min) - 2N6388
Låg kollektor-emittermättnadsspänning - Vce(sat) = 2,0 Vdc (max) vid Ic=5,0 ADC
Monolitisk konstruktion med inbyggda bas-sändare shuntmotstånd
T0-220AB kompakt hölje
Relaterade länkar
- onsemi, Darlington-transistor 1 4 A NPN 60 V dc HFE1000, 3 Ben, TO-220
- onsemi, Darlington-transistor 1 5 A NPN 60 V HFE1000, 3 Ben, TO-220
- onsemi, Darlington-transistor 1 5 A NPN 100 V HFE1000, 3 Ben, TO-220
- onsemi, Darlington-transistor 1 5 A NPN 80 V dc HFE1000, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 5 A NPN + NPN 60 V HFE1000, 3 Ben, TO-220
- onsemi, Darlington-transistor 2 -5 A 80 V HFE1000, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 5 A NPN 80 V HFE1000, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 5 A NPN 100 V HFE1000, 3 Ben, TO-220