onsemi, Darlington-transistor 1 4 A NPN 60 V dc HFE1000, 3 Ben, TO-220

Antal (1 rör med 50 enheter)*

351,25 kr

(exkl. moms)

439,05 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 +7,025 kr351,25 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
186-7344
Tillv. art.nr:
2N6387G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

Darlington-transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

4A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

60V dc

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Antal element per chip

1

Minsta DC-strömförstärkning hFE

1000

Maximal basspänning för emittern VEBO

5V dc

Transistorns polaritet

NPN

Maximal effektförlust Pd

65W

Maximal basspänning för kollektor VCBO

60V dc

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Minsta arbetsstemperatur

-65°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Serie

2N6388

Höjd

15.75mm

Längd

10.53mm

Maximal kollektor-cut-off-ström

1mA

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
Power 8 A 80 V NPN Darlington bipolär effekttransistor är utformad för allround förstärkare och låghastighetsomkopplingstillämpningar.

Hög DC-strömförstärkning – hFE=2500 (typ) vid Ic=4,0 A DC

Bibehållande spänning för kollektor-sändare - vid 100 mAdc, Vceo(sus) = 60 Vdc (min) - 2N6387, Vceo (sus) = 80 Vdc (min) - 2N6388

Bibehållande spänning för kollektor-sändare - vid 100 mAdc, Vceo(sus) = 60 Vdc (min) - 2N6387, Vceo (sus) = 80 Vdc (min) - 2N6388

Låg kollektor-emittermättnadsspänning - Vce(sat) = 2,0 Vdc (max) vid Ic=5,0 ADC

Monolitisk konstruktion med inbyggda bas-sändare shuntmotstånd

T0-220AB kompakt hölje

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.