onsemi, Darlington-transistor 1 2 A NPN 60 V dc HFE500, 3 Ben, TO-220
- RS-artikelnummer:
- 186-7439
- Tillv. art.nr:
- TIP110G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 27%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
239,70 kr
(exkl. moms)
299,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 300 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | 4,794 kr | 239,70 kr | - |
| 100 - 450 | 3,468 kr | 173,40 kr | 27% |
| 500 - 950 | 2,952 kr | 147,60 kr | 38% |
| 1000 - 2450 | 2,578 kr | 128,90 kr | 46% |
| 2500 + | 2,549 kr | 127,45 kr | 46% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 186-7439
- Tillv. art.nr:
- TIP110G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | Darlington-transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 2A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 60V dc | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Minsta DC-strömförstärkning hFE | 500 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal basspänning för emittern VEBO | 5V dc | |
| Transistorns polaritet | NPN | |
| Maximal effektförlust Pd | 50W | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.5V dc | |
| Maximal basspänning för kollektor VCBO | 60V dc | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.53mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | TIP110 | |
| Höjd | 15.75mm | |
| Maximal kollektor-cut-off-ström | 1mA | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp Darlington-transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 2A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 60V dc | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Antal element per chip 1 | ||
Minsta DC-strömförstärkning hFE 500 | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal basspänning för emittern VEBO 5V dc | ||
Transistorns polaritet NPN | ||
Maximal effektförlust Pd 50W | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.5V dc | ||
Maximal basspänning för kollektor VCBO 60V dc | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.53mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie TIP110 | ||
Höjd 15.75mm | ||
Maximal kollektor-cut-off-ström 1mA | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Darlington bipolär effekttransistor är utformad för allroundförstärkare och låghastighetsomkopplingstillämpningar. TIP110, TIP111, TIP112 (NPN), TIP115, TIP116, TIP117 (PNP) är kompletterande enheter.
Hög DC-strömförstärkning - hFE = 2500 (typ) vid IC = 1,0 A DC
Kollektor-sändare med upprätthållande spänning vid 30 mA
VCEO(sus) = 60 Vdc (min) TIP110, TIP115
VCEO(sus) = 80 Vdc (min) TIP111, TIP116
VCEO(sus) = 100 Vdc (min) TIP112, TIP117
Låg mättnadsspänning för kollektor-sändare
VCE(sat) = 2,5 Vdc (max) vid IC= 2,0 Vdc = 4,0 Vdc (max) vid IC= 5,0 Vdc
Monolitisk konstruktion med inbyggda bas-sändare shuntmotstånd
Kompakt TO-220 AB-hus
Relaterade länkar
- onsemi, Darlington-transistor 1 2 A NPN 60 V dc HFE500, 3 Ben, TO-220
- onsemi, Darlington-transistor 1 2 A NPN 80 V HFE500, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 10 A NPN 100 V HFE500, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 4 A NPN 350 V HFE500, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 2 A NPN 100 V HFE500, 3 Ben, TO-220
- onsemi, Darlington-transistor 1 10 A NPN 100 V HFE500, 3 Ben, TO-247
- onsemi, Darlington-transistor 1 2 A PNP 100 V dc HFE500, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 2 A PNP 60 V HFE500, 3 Ben, TO-220