onsemi, Darlington-transistor 1 10 A NPN 100 V dc HFE100, 3 Ben, TO-220
- RS-artikelnummer:
- 186-7417
- Tillv. art.nr:
- MJF6388G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
695,95 kr
(exkl. moms)
869,95 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 13,919 kr | 695,95 kr |
| 100 - 200 | 11,33 kr | 566,50 kr |
| 250 - 450 | 11,09 kr | 554,50 kr |
| 500 - 950 | 9,686 kr | 484,30 kr |
| 1000 + | 9,661 kr | 483,05 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 186-7417
- Tillv. art.nr:
- MJF6388G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | Darlington-transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 10A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 100V dc | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Minsta DC-strömförstärkning hFE | 100 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Transistorns polaritet | NPN | |
| Maximal effektförlust Pd | 40W | |
| Maximal basspänning för emittern VEBO | 5V dc | |
| Maximal basspänning för kollektor VCBO | 100V dc | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Serie | MJF6388 | |
| Längd | 10.63mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 16.12mm | |
| Maximal kollektor-cut-off-ström | 10μA | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp Darlington-transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 10A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 100V dc | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Antal element per chip 1 | ||
Minsta DC-strömförstärkning hFE 100 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Transistorns polaritet NPN | ||
Maximal effektförlust Pd 40W | ||
Maximal basspänning för emittern VEBO 5V dc | ||
Maximal basspänning för kollektor VCBO 100V dc | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Serie MJF6388 | ||
Längd 10.63mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 16.12mm | ||
Maximal kollektor-cut-off-ström 10μA | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- KR
Den bipolära effekttransistorn är utformad för allroundförstärkare och omkopplingstillämpningar, där enhetens monteringsyta måste vara elektriskt isolerad från värmeväxlaren eller chassit.
Isolerat överformat hölje, typ TO-220
Elektriskt liknande till de populära 2N6388, 2N6668, TIP102 och TIP107
100 VCEO (avstängd)
10 A märke kollektorström
Inga isolerande skivor behövs
Minskad systemkostnad
Hög DC-strömförstärkning 1000 (min.) vid IC = 5,0 ADC
Hög isoleringsspänning (upp till 4500 VRMS)
Relaterade länkar
- onsemi, Darlington-transistor 1 10 A NPN 100 V dc HFE100, 3 Ben, TO-220
- onsemi, Darlington-transistor 1 8 A NPN 100 V HFE100, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 12 A NPN 100 V HFE100, 3 Ben, TO-220
- onsemi, Darlington-transistor 1 20 A NPN 100 V HFE100, 3 Ben, TO-247
- onsemi, Darlington-transistor 1 15 A NPN 250 V HFE100, 3 Ben, TO-247
- onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 1 8 A NPN 100 V HFE100, 3 Ben, TO-252
- Toshiba, Darlington-transistor 2 2 A NPN 400 V HFE100, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 8 A NPN 100 V HFE100, 3 Ben, TO-252