onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 1 2 A PNP 100 V HFE1000, 3 Ben, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 145-3571
- Tillv. art.nr:
- MJD117G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Få en mängdrabatt
Lägg till 150 till för att spara 6%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 75 enheter)*
445,58 kr
(exkl. moms)
556,95 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 75 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 75 enhet(er) från den 23 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 75 - 75 | 5,941 kr | 445,58 kr | - |
| 150 - 300 | 5,584 kr | 418,80 kr | 6% |
| 375 + | 5,348 kr | 401,10 kr | 9% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 145-3571
- Tillv. art.nr:
- MJD117G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | Darlington-transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 2A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 100V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Minsta DC-strömförstärkning hFE | 1000 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Transistorns polaritet | PNP | |
| Maximal effektförlust Pd | 20W | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Maximal basspänning för emittern VEBO | 5V | |
| Maximal basspänning för kollektor VCBO | 100V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Serie | MJD112 | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.73mm | |
| Höjd | 2.38mm | |
| Maximal kollektor-cut-off-ström | 20μA | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp Darlington-transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 2A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 100V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Antal element per chip 1 | ||
Minsta DC-strömförstärkning hFE 1000 | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Transistorns polaritet PNP | ||
Maximal effektförlust Pd 20W | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Maximal basspänning för emittern VEBO 5V | ||
Maximal basspänning för kollektor VCBO 100V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Serie MJD112 | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.73mm | ||
Höjd 2.38mm | ||
Maximal kollektor-cut-off-ström 20μA | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
PNP Darlington-transistorer, ON Semiconductor
Standards
Tillverkarens varunummer med prefixet S eller NSV är godkända för fordonsindustrin enligt AEC-Q101-standarden.
Relaterade länkar
- onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 1 2 A PNP 100 V HFE1000, 3 Ben, TO-252
- onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 1 2 A NPN 100 V HFE1000, 3 Ben, TO-252
- onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 1 8 A PNP 100 V HFE100, 3 Ben, TO-252
- onsemi, Darlington-transistor 1 5 A PNP 100 V HFE1000, 3 Ben, TO-220
- onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 1 2 A NPN 100 V HFE1000, 3 Ben, IPAK
- onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 1 1 A NPN 80 V HFE1000, 4 Ben, SOT-223
- Nexperia AEC-Q101, Darlington-transistor 1 -1 A PNP 80 V HFE1000, 4 Ben, SOT-223
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 5 A PNP/PNP 100 V HFE1000, 3 Ben, TO-220