onsemi AEC-Q101, Transistor 1 3 A NPN 100 V HFE20, 3 Ben, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 464-136
- Tillv. art.nr:
- MJD31CT4G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
97,90 kr
(exkl. moms)
122,38 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 120 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 1 460 enhet(er) från den 01 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 4,895 kr | 97,90 kr |
| 200 - 480 | 4,211 kr | 84,22 kr |
| 500 - 980 | 3,657 kr | 73,14 kr |
| 1000 + | 3,215 kr | 64,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 464-136
- Tillv. art.nr:
- MJD31CT4G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | Transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 3A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 100V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Minsta DC-strömförstärkning hFE | 20 | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.56W | |
| Transistorns polaritet | NPN | |
| Maximal basspänning för emittern VEBO | 5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.2V | |
| Maximal basspänning för kollektor VCBO | 100V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.73mm | |
| Serie | MJD31 | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.38mm | |
| Maximal kollektor-cut-off-ström | 50μA | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp Transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 3A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 100V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Antal element per chip 1 | ||
Minsta DC-strömförstärkning hFE 20 | ||
Maximal effektförlust Pd 1.56W | ||
Transistorns polaritet NPN | ||
Maximal basspänning för emittern VEBO 5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.2V | ||
Maximal basspänning för kollektor VCBO 100V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.73mm | ||
Serie MJD31 | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.38mm | ||
Maximal kollektor-cut-off-ström 50μA | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
NPN-effekttransistorer, ON Semiconductor
Standards
Tillverkarens artikelnummer med NSV-prefix är kvalificerade för fordonsindustrin enligt AEC-Q101-standarden.
Relaterade länkar
- onsemi AEC-Q101, Transistor 1 3 A NPN 100 V HFE20, 3 Ben, TO-252
- onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 1 4 A NPN 350 V HFE300, 3 Ben, TO-252
- onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 1 8 A NPN 100 V HFE100, 3 Ben, TO-252
- onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 1 2 A NPN 100 V HFE1000, 3 Ben, TO-252
- onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 1 2 A NPN 100 V HFE200, 3 Ben, TO-252
- onsemi, Effekttransistor 1 10 A NPN 100 V dc HFE20, 3 Ben, TO-218
- onsemi, Transistor 3 A NPN 400 V, 3 Ben, TO-252 Enkel
- onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 1 8 A PNP 100 V HFE100, 3 Ben, TO-252