onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 1 8 A NPN 100 V HFE100, 3 Ben, TO-252

Se alla Darlingtonpar

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

10 125,00 kr

(exkl. moms)

12 650,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +4,05 kr10 125,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
100-7578
Tillv. art.nr:
MJD122T4G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

Darlington-transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

8A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

100V

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Antal element per chip

1

Minsta DC-strömförstärkning hFE

100

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Minsta arbetsstemperatur

-65°C

Maximal basspänning för emittern VEBO

5V

Transistorns polaritet

NPN

Maximal effektförlust Pd

20W

Maximal basspänning för kollektor VCBO

100V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

2.38mm

Standarder/godkännanden

No

Serie

MJD122

Längd

6.73mm

Maximal kollektor-cut-off-ström

0.01mA

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CZ

NPN Darlington-transistorer, ON Semiconductor


Standards

Tillverkarens varunummer med prefixet S eller NSV är godkända för fordonsindustrin enligt AEC-Q101-standarden.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.