STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 5 A NPN + NPN 60 V HFE1000, 3 Ben, TO-220
- RS-artikelnummer:
- 151-945
- Tillv. art.nr:
- TIP120
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
102,70 kr
(exkl. moms)
128,38 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 840 enhet(er) från den 21 september 2026
- Dessutom levereras 80 enhet(er) från den 21 september 2026
- Dessutom levereras 260 enhet(er) från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 5,135 kr | 102,70 kr |
| 200 - 980 | 4,514 kr | 90,28 kr |
| 1000 - 1980 | 4,038 kr | 80,76 kr |
| 2000 + | 3,467 kr | 69,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-945
- Tillv. art.nr:
- TIP120
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | Darlington-transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 5A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 60V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Antal ben | 3 | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Minsta DC-strömförstärkning hFE | 1000 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 4V | |
| Minsta arbetsstemperatur | 65°C | |
| Transistorns polaritet | NPN + NPN | |
| Maximal effektförlust Pd | 65W | |
| Maximal basspänning för kollektor VCBO | 100V | |
| Maximal basspänning för emittern VEBO | 5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 4.45mm | |
| Serie | TIP | |
| Längd | 28.9mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Maximal kollektor-cut-off-ström | 0.5mA | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp Darlington-transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 5A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 60V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Antal ben 3 | ||
Antal element per chip 1 | ||
Minsta DC-strömförstärkning hFE 1000 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 4V | ||
Minsta arbetsstemperatur 65°C | ||
Transistorns polaritet NPN + NPN | ||
Maximal effektförlust Pd 65W | ||
Maximal basspänning för kollektor VCBO 100V | ||
Maximal basspänning för emittern VEBO 5V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 4.45mm | ||
Serie TIP | ||
Längd 28.9mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Maximal kollektor-cut-off-ström 0.5mA | ||
STMicroelectronics transistor är tillverkad i Planar-teknik med ”basö”-layout och monolitisk Darlington-konfiguration. Den resulterande transistorn har en exceptionellt hög förstärkning i kombination med mycket låg mättnadsspänning.
Kompletterande NPN PNP-transistorer
Kan användas för allmänt linjärt bruk och omkoppling
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 5 A NPN + NPN 60 V HFE1000, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 5 A NPN 80 V HFE1000, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 5 A NPN 100 V HFE1000, 3 Ben, TO-220
- onsemi, Darlington-transistor 1 5 A NPN 60 V HFE1000, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics, Darlington-transistor 1 5 A PNP 60 V HFE1000, 3 Ben, TO-220
- onsemi, Darlington-transistor 1 4 A NPN 60 V dc HFE1000, 3 Ben, TO-220
- onsemi, Darlington-transistor 1 5 A NPN 100 V HFE1000, 3 Ben, TO-220
- onsemi, Darlington-transistor 1 5 A NPN 80 V dc HFE1000, 3 Ben, TO-220