Taiwan Semiconductor, Transientskyddsdiod 1, 600 W, Dubbelriktad, 48 V, 2 Ben, DO-214
- RS-artikelnummer:
- 803-2049
- Tillv. art.nr:
- SMBJ48CA
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer att finnas i lager igen, den har utgått från tillverkaren.
- RS-artikelnummer:
- 803-2049
- Tillv. art.nr:
- SMBJ48CA
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Taiwan Semiconductor | |
| Diodkonfiguration | Enkel | |
| Produkttyp | Transientskyddsdiod | |
| Riktningstyp | Dubbelriktad | |
| Minsta genombrottsspänning Vbr | 53.3V | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kapseltyp | DO-214 | |
| Maximal bakåtriktad avstängningsspänning Vwm | 48V | |
| Antal ben | 2 | |
| Effektförlust vid maxpuls Pppm | 600W | |
| Testström It | 1mA | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Klämspänning VC | 77.4V | |
| Maximal topp-pulsström Ippm | 7.8A | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 2.45mm | |
| Längd | 4.75mm | |
| Bredd | 3.95mm | |
| Serie | SMBJ | |
| Standarder/godkännanden | FBI | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Maximal backläckström | 1μA | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Taiwan Semiconductor | ||
Diodkonfiguration Enkel | ||
Produkttyp Transientskyddsdiod | ||
Riktningstyp Dubbelriktad | ||
Minsta genombrottsspänning Vbr 53.3V | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kapseltyp DO-214 | ||
Maximal bakåtriktad avstängningsspänning Vwm 48V | ||
Antal ben 2 | ||
Effektförlust vid maxpuls Pppm 600W | ||
Testström It 1mA | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Klämspänning VC 77.4V | ||
Maximal topp-pulsström Ippm 7.8A | ||
Antal element per chip 1 | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 2.45mm | ||
Längd 4.75mm | ||
Bredd 3.95mm | ||
Serie SMBJ | ||
Standarder/godkännanden FBI | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Maximal backläckström 1μA | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Överspänningsskydd SMT dubbelriktade 600 W, SMBJ-serien, Fairchild Semiconductor
Glass-passiverad koppling
600 W effektkapacitet för toppimpuls
Utmärkt klämförmåga
Lågt inkrementellt överspänningsmotstånd
Snabb svarstid
UL-certifikat nr E258596
Brännbarhetsklassificering enligt UL94V-0
Relaterade länkar
- Taiwan Semiconductor, Transientskyddsdiod 1, 400 W, Dubbelriktad, 48 V, 2 Ben, DO-214
- Taiwan Semiconductor, Transientskyddsdiod 1, 600 W, Dubbelriktad, 13 V, 2 Ben, DO-214
- Taiwan Semiconductor, Transientskyddsdiod 1, 600 W, Dubbelriktad, 58 V, 2 Ben, DO-214
- Taiwan Semiconductor, Transientskyddsdiod 1, 600 W, Dubbelriktad, 120 V, 2 Ben, DO-214
- Taiwan Semiconductor, Transientskyddsdiod 1, 600 W, Dubbelriktad, 5 V, 2 Ben, DO-214
- Taiwan Semiconductor, Transientskyddsdiod 1, 600 W, Dubbelriktad, 54 V, 2 Ben, DO-214
- Taiwan Semiconductor, Transientskyddsdiod 1, 600 W, Dubbelriktad, 51 V, 2 Ben, DO-214
- Taiwan Semiconductor, Transientskyddsdiod 1, 600 W, Dubbelriktad, 45 V, 2 Ben, DO-214