Power Integrations, SiC Schottky Enkel, 12 A 600 V, 2 Ben, TO-220
- RS-artikelnummer:
- 231-8074P
- Tillv. art.nr:
- QH12TZ600Q
- Tillverkare / varumärke:
- Power Integrations
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
- RS-artikelnummer:
- 231-8074P
- Tillv. art.nr:
- QH12TZ600Q
- Tillverkare / varumärke:
- Power Integrations
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Power Integrations | |
| Maximal ström framåt If | 12A | |
| Diodkonfiguration | Enkel | |
| Produkttyp | SiC Schottky | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Undertyp | SiC Schottky | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Antal ben | 2 | |
| Maximal spänning framåt Vf | 3.1V | |
| Maximal icke-repetitiv överspänningsström framåt Ifsm | 100A | |
| Maximal högsta omvänd repetitiv spänning Vrrm | 600V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Högsta återställningstid för bakåtriktning trr | 20.5ns | |
| Maximal effektförlust Pd | 61mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.67mm | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Höjd | 30.73mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Power Integrations | ||
Maximal ström framåt If 12A | ||
Diodkonfiguration Enkel | ||
Produkttyp SiC Schottky | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Undertyp SiC Schottky | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Antal ben 2 | ||
Maximal spänning framåt Vf 3.1V | ||
Maximal icke-repetitiv överspänningsström framåt Ifsm 100A | ||
Maximal högsta omvänd repetitiv spänning Vrrm 600V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Högsta återställningstid för bakåtriktning trr 20.5ns | ||
Maximal effektförlust Pd 61mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.67mm | ||
Bredd 4.7mm | ||
Höjd 30.73mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Power Integrations Qspeed H-serie SiC ersättningsdiod har den lägsta QRR av alla 600 V-kiseldioder. Dens återhämtningsegenskaper ökar effektiviteten, minskar EMI och eliminerar snubbar. Den ersätter SiC-dioder för liknande effektivitetsprestanda i tillämpningar med hög omkopplingsfrekvens.
Funktioner och fördelar
Låg QRR, låg IRRM, låg tRR
Hög dIF/dt-kapacitet (1000 A/μs)
Soft recovery
AEC-Q101-godkänd
Fab, montering och testcertifierad enligt IATF 16949
Eliminerar behovet av snubberkretsar
Minskar storleken och antalet EMI-filterkomponenter
Möjliggör extremt snabb omkoppling
Användningsområden
Boost-diod för effektfaktorkorrigering i inbyggd laddare
Utgångslikriktare för inbyggd laddare