Infineon SRAM, 4 MB, TSOP II 44 Ben
- RS-artikelnummer:
- 273-7349
- Tillv. art.nr:
- CY7C1041G-10ZSXI
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 fack med 135 enheter)*
6 713,28 kr
(exkl. moms)
8 391,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 06 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per fack* |
|---|---|---|
| 135 + | 49,728 kr | 6 713,28 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-7349
- Tillv. art.nr:
- CY7C1041G-10ZSXI
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | SRAM | |
| Minnesstorlek | 4MB | |
| Antal ord | 256K | |
| Antal bitar per ord | 16 | |
| Minsta matningsspänning | 0.5V | |
| Maximal matningsspänning | 0.5V | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Kapseltyp | TSOP II | |
| Antal ben | 44 | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Serie | CY7C1041G | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 10.26mm | |
| Bredd | 1.19mm | |
| Längd | 18.51mm | |
| Matningsström | 45mA | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp SRAM | ||
Minnesstorlek 4MB | ||
Antal ord 256K | ||
Antal bitar per ord 16 | ||
Minsta matningsspänning 0.5V | ||
Maximal matningsspänning 0.5V | ||
Typ av fäste Yta | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Kapseltyp TSOP II | ||
Antal ben 44 | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Serie CY7C1041G | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 10.26mm | ||
Bredd 1.19mm | ||
Längd 18.51mm | ||
Matningsström 45mA | ||
Infineons statiska RAM är en högpresterande CMOS-enhet med snabb statiskt RAM med inbyggd ECC. Denna statiska RAM-enhet erbjuds i ett chip-aktiveringsalternativ och i flera stiftkonfigurationer. Denna enhet innehåller ett ERR-stift som signalerar en feldetektering och korrigeringshändelse under en läscykel. Data skrivningar utförs genom att bekräfta att chip-aktivering och skrivaktivering av ingångar är LÅG, samtidigt som data tillhandahålls på IO 0 till IO 15 och adress på A0 till A17-stift. Ingångarna för hög aktivering och låg aktivering styr skrivoperationer till de övre och nedre byten av den angivna minnesplatsen.
Snabb
Låg aktiv- och standby-ström
1-bitars feldetektering och korrigering
TTL-kompatibla ingångar och utgångar
Inbyggd ECC för korrigering av fel på en bit