Infineon SRAM, 4 MB, TSOP II 44 Ben
- RS-artikelnummer:
- 273-7349
- Tillv. art.nr:
- CY7C1041G-10ZSXI
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
- RS-artikelnummer:
- 273-7349
- Tillv. art.nr:
- CY7C1041G-10ZSXI
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Minnesstorlek | 4MB | |
| Produkttyp | SRAM | |
| Organisation | 256 K x 16 | |
| Antal ord | 256K | |
| Antal bitar per ord | 16 | |
| Minsta matningsspänning | 0.5V | |
| Fästetyp | Yta | |
| Maximal matningsspänning | 0.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Kapseltyp | TSOP II | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Antal ben | 44 | |
| Bredd | 1.19 mm | |
| Längd | 18.51mm | |
| Höjd | 10.26mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Serie | CY7C1041G | |
| Matningsström | 45mA | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Minnesstorlek 4MB | ||
Produkttyp SRAM | ||
Organisation 256 K x 16 | ||
Antal ord 256K | ||
Antal bitar per ord 16 | ||
Minsta matningsspänning 0.5V | ||
Fästetyp Yta | ||
Maximal matningsspänning 0.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Kapseltyp TSOP II | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Antal ben 44 | ||
Bredd 1.19 mm | ||
Längd 18.51mm | ||
Höjd 10.26mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Serie CY7C1041G | ||
Matningsström 45mA | ||
The Infineon Static RAM are high performance CMOS fast static RAM device with embedded ECC. This Static RAM device offered in single chip enable option and in multiple pin configurations. This device includes an ERR pin that signals an error detection and correction event during a read cycle. Data writes are performed by asserting the chip enable and write enable inputs LOW, while providing the data on IO 0 through IO 15 and address on A0 through A17 pins. The byte high enable and byte low enable inputs control write operations to the upper and lower bytes of the specified memory location.
High speed
Low active and standby currents
1 bit error detection and correction
TTL compatible inputs and outputs
Embedded ECC for single bit error correction
