Alliance Memory, SDRAM, 512 MB, Yta 8 bit, 95 °C, -40 °C, 78 Ben, FBGA
- RS-artikelnummer:
- 665-382
- Tillv. art.nr:
- AS4C64M8D3-12BIN
- Tillverkare / varumärke:
- Alliance Memory
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
- RS-artikelnummer:
- 665-382
- Tillv. art.nr:
- AS4C64M8D3-12BIN
- Tillverkare / varumärke:
- Alliance Memory
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Alliance Memory | |
| Minnesstorlek | 512MB | |
| Produkttyp | SDRAM | |
| Organisation | 64M x 8 | |
| Databussbredd | 8bit | |
| Antal bitar per ord | 8 | |
| Maximal klockfrekvens | 800MHz | |
| Antal ord | 64 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Kapseltyp | FBGA | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Antal ben | 78 | |
| Maximal arbetstemperatur | 95°C | |
| Bredd | 8 mm | |
| Längd | 10.5mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, JEDEC | |
| Minsta matningsspänning | 1.425V | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Maximal matningsspänning | 1.575V | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Alliance Memory | ||
Minnesstorlek 512MB | ||
Produkttyp SDRAM | ||
Organisation 64M x 8 | ||
Databussbredd 8bit | ||
Antal bitar per ord 8 | ||
Maximal klockfrekvens 800MHz | ||
Antal ord 64 | ||
Fästetyp Yta | ||
Kapseltyp FBGA | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Antal ben 78 | ||
Maximal arbetstemperatur 95°C | ||
Bredd 8 mm | ||
Längd 10.5mm | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS, JEDEC | ||
Minsta matningsspänning 1.425V | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Maximal matningsspänning 1.575V | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
The Alliance Memory 512Mb DDR3 DRAM in a 78-ball FBGA package features a double data rate architecture for high-speed operation and is internally configured as an eight-bank DRAM. It is organized as 8Mbit x8 I/Os x8 banks and supports double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec per pin, making it ideal for general-purpose applications. The device complies with all key DDR3 DRAM specifications, with control and address inputs synchronized using a pair of externally supplied differential clocks.
8 internal banks for concurrent operation
8n-bit prefect architecture
Pipelined internal architecture
Precharge & active power down
Programmable Mode & Extended Mode registers
Burst type is Sequential and Interleave
Output Driver Impedance Control
