STMicroelectronics Diod, Enkel, 1200 V, 20 A, 3 Ben TO-263
- RS-artikelnummer:
- 228-3057
- Tillv. art.nr:
- STPSC20H12G2-TR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
84 201,00 kr
(exkl. moms)
105 251,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 09 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 84,201 kr | 84 201,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 228-3057
- Tillv. art.nr:
- STPSC20H12G2-TR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | Diod | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Maximal kontinuerlig ström framåt If | 20A | |
| Högsta omvända repetitiva spänning Vrrm | 1200V | |
| Diodkonfiguration | Enkel | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning framåt Vf | 2.25V | |
| Maximal icke-repetitiv överspänningsström framåt Ifsm | 120A | |
| Maximal omvänd ström Ir | 60μA | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 4.3mm | |
| Längd | 15.95mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp Diod | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Maximal kontinuerlig ström framåt If 20A | ||
Högsta omvända repetitiva spänning Vrrm 1200V | ||
Diodkonfiguration Enkel | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning framåt Vf 2.25V | ||
Maximal icke-repetitiv överspänningsström framåt Ifsm 120A | ||
Maximal omvänd ström Ir 60μA | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 4.3mm | ||
Längd 15.95mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics 20 A, 1 200 V SiC-diod är en ultrahögpresterande Schottky-diod. Den tillverkas med ett kiselkarbidsubstrat. Det breda bandgapmaterialet möjliggör utformning av en Schottky-diodstruktur med en klassning på 1200 V. På grund av Schottky-konstruktionen visas ingen återhämtning vid avstängning och ringmönstren är försumbara. Det minimala kapacitiva avstängningsbeteendet är oberoende av temperatur.
Ingen eller försumbar omvänd återvinning
Omkopplingsbeteende oberoende av temperatur
Robust högspänningsutrustning
Drifttemperatur från -40 °C till 175 °C
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Diod 1200 V 3 Ben TO-263
- STMicroelectronics Diod 1200 V 2 Ben TO-263
- STMicroelectronics Diod 1200 V 2 Ben TO-263
- STMicroelectronics Diod 1200 V 2 Ben TO-263
- AEC-Q101 STMicroelectronics Diod 1200 V 2 Ben TO-263
- STMicroelectronics Diod Schottky 100 V 3 Ben TO-263
- STMicroelectronics Diod Omkoppling 1200 V 15 A, 3 Ben TO-263
- STMicroelectronics Diod 650 V 2 Ben TO-263
