Infineon SiC-diod Schottky, Enkel, 1200 V, 20 A, 2 Ben TO-247

Se kategorien
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

83,89 kr

(exkl. moms)

104,86 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 347 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 983,89 kr
10 - 2479,52 kr
25 - 4976,38 kr
50 - 9973,02 kr
100 +67,87 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4842
Tillv. art.nr:
IDWD20G120C5XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

SiC-diod

Typ av fäste

Yta

Kapseltyp

TO-247

Maximal kontinuerlig ström framåt If

20A

Högsta omvända repetitiva spänning Vrrm

1200V

Serie

5th Generation CoolSiCTM 1200V

Diodkonfiguration

Enkel

Likriktartyp

Schottky

Antal ben

2

Maximal icke-repetitiv överspänningsström framåt Ifsm

190A

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning framåt Vf

1.65V

Maximal omvänd ström Ir

166μA

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

40.21mm

Standarder/godkännanden

JEDEC47/20/22

Fordonsstandard

Nej

Infineon CoolSiCTM Schottky-dioder generation 5 1200 V, 20 A i en TO-247-kapsel med 2 stift, för enkelt byte av bipolära Si-dioder. De utökade kryp- och avstånden på 8,7 mm i den nya förpackningen ger extra säkerhet i miljöer med höga föroreningar. I kombination med en Si IGBT eller Super-Junction MOSFET, till exempel i ett Wien-likriktssteg eller PFC-förstärkningssteg som används i 3-fasomvandlingssystem, ökar en CoolSiCTM-diod effektiviteten upp till 1 % jämfört med näst bästa Si-diodalternativ.

Ingen omvänd återställningsström, ingen framåtriktad återställningsspänning

Temperaturoberoende omkopplingsbeteende

Låg framåtvänd spänning även vid hög drifttemperatur

Tät spänningsfördelning

Hög strömrusningskapacitet

Relaterade länkar