STMicroelectronics Diod Schottky, Enkel, 1200 V, 20 A, 8 Ben HU3PAK

STMicroelectronics SiC-diod är en Schottky-likriktare med ultrahög prestanda. Den tillverkas med ett kiselkarbidsubstrat. Det breda bandgapmaterialet möjliggör utformning av en låg VF Schottky-diodstruktur med en klassning på 1 200 V. Tack vare Schottky-konstruktionen visas ingen återhämtning vid avstängning och ringmönstren är försumliga. Det minimala kapacitiva avstängningsbeteendet är oberoende av temperatur. Baserat på den senaste teknikoptimeringen har denna diod en förbättrad framåtriktad strömstötsströmskapacitet, vilket gör den idealisk för användning i PFC, där denna ST SiC-diod kommer att öka prestandan i tuffa omkopplingsförhållanden samtidigt som den ger robusthet till designen. Dess höga framåtriktade strömstötskapacitet säkerställer en god robusthet under transientfaser.

AEC-Q101-certifierad och PPAP-kompatibel