AEC-Q101 STMicroelectronics Effekt-MOSFET, 7 Ben HPAK-7
- RS-artikelnummer:
- 330-555
- Tillv. art.nr:
- SCT016H120G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
326,59 kr
(exkl. moms)
408,24 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 326,59 kr |
| 10 - 99 | 293,89 kr |
| 100 + | 271,04 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 330-555
- Tillv. art.nr:
- SCT016H120G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Motstånd vid påslagning RdsOn | 16mΩ | |
| Effektklassning | 652W | |
| Kapseltyp | HPAK-7 | |
| Maximal matningsspänning | 1200V | |
| Antal ben | 7 | |
| Driftström | 112A | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Motstånd vid påslagning RdsOn 16mΩ | ||
Effektklassning 652W | ||
Kapseltyp HPAK-7 | ||
Maximal matningsspänning 1200V | ||
Antal ben 7 | ||
Driftström 112A | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
RoHS-status: Undantagen
- COO (ursprungsland):
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET device is developed using ST's advanced 3rd generation SiC MOSFET technology. It features very low RDS(on) across a wide temperature range, combined with low capacitances and high switching capabilities. These characteristics enhance application performance by improving frequency, energy efficiency, and enabling reductions in system size and weight.
High speed switching performances
Source sensing pin for increased efficiency