Sök efter MPN

DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 10.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMC3016LSD-13

RS-artikelnummer:: 921-1010
Tillv. art.nr:: DMC3016LSD-13
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 10.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMC3016LSD-13

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

82,16 kr

(exkl. moms)

102,70 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

Dessutom levereras 40 enhet(er) från den 29 december 2025
Dessutom levereras 3 860 enhet(er) från den 05 januari 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
20 +	4,108 kr	82,16 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 921-1010
Tillv. art.nr:: DMC3016LSD-13
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	DiodesZetex
	Channel Type	Type N, Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	10.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	20mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.6W
	Forward Voltage Vf	0.7V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	11.3nC
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Height	1.5mm
	Width	3.95 mm
	Standards/Approvals	RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020
	Length	4.95mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Välj alla
	Brand DiodesZetex
	Channel Type Type N, Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 10.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 20mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.6W
	Forward Voltage Vf 0.7V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11.3nC
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Height 1.5mm
	Width 3.95 mm
	Standards/Approvals RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020
	Length 4.95mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 10.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMC3016LSD-13

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

relaterade länkar