Sök efter MPN

DiodesZetex Isolated 2 Type P, Type N-Channel Power MOSFET, 8.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMC3021LSD-13

RS-artikelnummer:: 751-4067
Tillv. art.nr:: DMC3021LSD-13
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

DiodesZetex Isolated 2 Type P, Type N-Channel Power MOSFET, 8.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMC3021LSD-13

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

128,35 kr

(exkl. moms)

160,45 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Tillfälligt slut

2 500 enhet(er) levereras från den 29 april 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
25 - 100	5,134 kr	128,35 kr
125 - 600	3,983 kr	99,58 kr
625 - 1225	3,315 kr	82,88 kr
1250 +	2,67 kr	66,75 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 751-4067
Tillv. art.nr:: DMC3021LSD-13
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	DiodesZetex
	Channel Type	Type P, Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	8.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	53mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	0.7V
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	7.8nC
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Width	3.95 mm
	Length	4.95mm
	Height	1.5mm
	Standards/Approvals	AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

	Välj alla
	Brand DiodesZetex
	Channel Type Type P, Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 8.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 53mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 0.7V
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.8nC
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Isolated
	Width 3.95 mm
	Length 4.95mm
	Height 1.5mm
	Standards/Approvals AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

COO (Country of Origin):: CN

DiodesZetex Isolated 2 Type P, Type N-Channel Power MOSFET, 8.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMC3021LSD-13

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

relaterade länkar