STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- RS-artikelnummer:
- 920-8809
- Tillv. art.nr:
- STP60NF06L
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 50 enheter)*
600,10 kr
(exkl. moms)
750,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 350 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 12,002 kr | 600,10 kr |
| 100 - 450 | 9,746 kr | 487,30 kr |
| 500 - 950 | 8,174 kr | 408,70 kr |
| 1000 - 4950 | 7,347 kr | 367,35 kr |
| 5000 + | 6,037 kr | 301,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 920-8809
- Tillv. art.nr:
- STP60NF06L
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | STripFET II | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 14mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 15 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.6 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 9.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie STripFET II | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 14mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 15 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.6 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 9.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.