STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.8 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh, SuperMESH

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

14 650,00 kr

(exkl. moms)

18 310,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +14,65 kr14 650,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
920-6639
Tillv. art.nr:
STB6NK90ZT4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5.8A

Maximal källspänning för dränering Vds

900V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

46.5nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Maximal effektförlust Pd

140W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

4.6mm

Bredd

9.35 mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.4mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals MDmesh™ SuperMESH™, 700V till 1200V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics