Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR870ADP

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

33 426,00 kr

(exkl. moms)

41 784,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +11,142 kr33 426,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
919-4242
Tillv. art.nr:
SIR870ADP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

60A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

SO-8

Serie

SiR870ADP

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

10.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

53.5nC

Maximal effektförlust Pd

104W

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.25mm

Höjd

1.12mm

Bredd

5.26 mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanal MOSFET, 100V till 150V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor