N-Channel MOSFET, 18 A, 100 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4190ADY-T1-GE3

RS-artikelnummer:: 919-4233
Tillv. art.nr:: SI4190ADY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

N-Channel MOSFET, 18 A, 100 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4190ADY-T1-GE3

Pris (ex. moms) Var (i en rulle med 2500)

8,413 kr

(exkl. moms)

10,516 kr

(inkl. moms)

2040 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet	Per rulle**
2500 +	8,413 kr	21 032,50 kr

RS-artikelnummer:: 919-4233
Tillv. art.nr:: SI4190ADY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	18 A
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Package Type	SOIC
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	2.2 Ω
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1.5V
Maximum Power Dissipation	6 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Number of Elements per Chip	1
Width	4mm
Typical Gate Charge @ Vgs	44.4 nC @ 10 V
Length	5mm
Transistor Material	Si
Height	1.5mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 18 A, 100 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4190ADY-T1-GE3

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor