Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 12 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2333DDS

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

3 186,00 kr

(exkl. moms)

3 984,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 39 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +1,062 kr3 186,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
919-4220
Tillv. art.nr:
SI2333DDS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

12V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

Si2333DDS

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

19Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

23nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal effektförlust Pd

1.7W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

3.04mm

Bredd

1.4 mm

Höjd

1.02mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

P-kanal MOSFET, 8V till 20V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor