P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2333DDS-T1-GE3

RS-artikelnummer:: 919-4220
Tillv. art.nr:: SI2333DDS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2333DDS-T1-GE3

Price Var (i en rulle med 3000)**

1,357 kr

(exkl. moms)

1,696 kr

(inkl. moms)

45610 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet	Per rulle**
3000 +	1,357 kr	4 071,00 kr

**price indicative

RS-artikelnummer:: 919-4220
Tillv. art.nr:: SI2333DDS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	6 A
Maximum Drain Source Voltage	12 V
Package Type	SOT-23
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	19 Ω
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	0.4V
Maximum Power Dissipation	1.7 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip	1
Typical Gate Charge @ Vgs	23 nC @ 8 V
Length	3.04mm
Transistor Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	1.4mm
Height	1.02mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2333DDS-T1-GE3

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor