Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET, 39 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK39A60W,S4VX(M
- RS-artikelnummer:
- 896-2366
- Tillv. art.nr:
- TK39A60W,S4VX(M
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
51,07 kr
(exkl. moms)
63,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 59 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 38 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 51,07 kr |
| 5 - 9 | 37,41 kr |
| 10 - 24 | 36,51 kr |
| 25 - 49 | 35,39 kr |
| 50 + | 34,72 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 896-2366
- Tillv. art.nr:
- TK39A60W,S4VX(M
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 39A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | DTMOSIV | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 65mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 50W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | -1.7V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4.5 mm | |
| Height | 15mm | |
| Length | 10mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 39A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series DTMOSIV | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 50W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf -1.7V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4.5 mm | ||
Height 15mm | ||
Length 10mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
relaterade länkar
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS4VX(M
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS4VX(M
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS4VX(M
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS4VX(M
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VQ(O
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1X(S
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS5X(M
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VX(S
