Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, 273 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, NexFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

64,51 kr

(exkl. moms)

80,64 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 13 enhet(er) levereras från den 17 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 464,51 kr
5 - 961,26 kr
10 - 2454,99 kr
25 - 4949,84 kr
50 +47,15 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
827-4903
Tillv. art.nr:
CSD19506KCS
Tillverkare / varumärke:
Texas Instruments
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Texas Instruments

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

273A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Serie

NexFET

Kapseltyp

TO-220

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

120nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

375W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.7 mm

Längd

10.67mm

Höjd

16.51mm

Fordonsstandard

Nej

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments


MOSFET Transistors, Texas Instruments