DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 9.3 A, 20 V Enhancement, 7-Pin UDFN DMN2014LHAB-7

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

168,25 kr

(exkl. moms)

210,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 950 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 +3,365 kr168,25 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
827-0462
Tillv. art.nr:
DMN2014LHAB-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

UDFN

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

28mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.5nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Standards/Approvals

AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202

Width

2.05 mm

Height

0.6mm

Length

3.05mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET Transistors, Diodes Inc.


relaterade länkar