Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 34 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 823-5642
- Tillv. art.nr:
- IPP320N20N3GXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
57,01 kr
(exkl. moms)
71,262 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 28 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 238 enhet(er) från den 08 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 98 | 28,505 kr | 57,01 kr |
| 100 - 198 | 20,72 kr | 41,44 kr |
| 200 - 498 | 19,71 kr | 39,42 kr |
| 500 - 998 | 17,47 kr | 34,94 kr |
| 1000 + | 16,855 kr | 33,71 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 823-5642
- Tillv. art.nr:
- IPP320N20N3GXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 34A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 32mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 136W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.36mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 15.95mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 34A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 32mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 136W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.36mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 15.95mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon OptiMOS™ 3 Series MOSFET, 34A Maximum Continuous Drain Current, 136W Maximum Power Dissipation - IPP320N20N3GXKSA1
This MOSFET offers high performance for various electronic applications. With continuous drain current capability of up to 34A and a drain-source voltage rating of 200V, it serves as an efficient power solution. The enhancement mode operation ensures dependable performance in circuits requiring switching and synchronous rectification.
Features & Benefits
• N-channel design for effective power conversion
• Low on-resistance reduces energy loss
• High operational temperature tolerance for extreme conditions
• Compatible with high-frequency switching applications
• Pb-free and RoHS compliant for environmentally friendly use
• Halogen-free materials enhance safety and compliance
Applications
• Used in power supplies for industrial automation
• Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters
• Applicable in electric vehicle charging systems
• Ideal for battery management systems in consumer electronics
• Utilised in renewable energy inverters for efficient power transfer
What is the maximum temperature range for operation?
The component operates effectively between -55°C and +175°C, making it suitable for diverse environmental conditions.
Can it manage high drain currents?
Yes, it supports continuous drain currents of up to 34A, suitable for high power applications.
What advantages does the low RDS(on) feature provide?
The low on-resistance significantly lowers energy losses during operation, enhancing efficiency in high-power switching applications.
Is it suitable for automotive applications?
With its high temperature rating and low on-resistance, it is appropriate for automotive applications, providing performance under challenging conditions.
How would I ensure proper heat dissipation during installation?
To achieve effective thermal management, ensure the MOSFET is mounted on a heat sink or a PCB with sufficient copper area to aid in dissipating heat generated during operation.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 34 A 200 V Förbättring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 34 A 200 V Förbättring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 50 A 150 V Förbättring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 70 A 40 V Förbättring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 83 A 150 V Förbättring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 90 A 40 V Förbättring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 88 A 200 V Förbättring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 80 A 100 V Förbättring TO-220, OptiMOS 3
