Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SI7288DP-T1-GE3

RS-artikelnummer:: 818-1390
Tillv. art.nr:: SI7288DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SI7288DP-T1-GE3

Mängdrabatt möjlig

Price Var (i ett paket med 10)**

12,243 kr

(exkl. moms)

15,304 kr

(inkl. moms)

Det är tyvärr inte möjligt att visa lagerbehållning för närvarande. Uppdatera sidan och försök igen.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Nästa dag-leverans inte möjlig

Enheter	Per enhet	Per förpackning**
10 - 90	12,243 kr	122,43 kr
100 - 240	11,633 kr	116,33 kr
250 - 490	9,804 kr	98,04 kr
500 - 990	9,183 kr	91,83 kr
1000 +	8,573 kr	85,73 kr

**price indicative

RS-artikelnummer:: 818-1390
Tillv. art.nr:: SI7288DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Si7288DP, Dual N-Channel 40V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	20 A
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Package Type	PowerPAK SO-8
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	22 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1.2V
Maximum Power Dissipation	15.6 W
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Length	5.99mm
Transistor Material	Si
Width	5mm
Typical Gate Charge @ Vgs	10 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Number of Elements per Chip	2
Height	1.07mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SI7288DP-T1-GE3

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor