Vishay 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 20 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

50,38 kr

(exkl. moms)

62,98 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 10 120 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +5,038 kr50,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
818-1390
Tillv. art.nr:
SI7288DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

SO-8

Serie

TrenchFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

22mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

15.6W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

10nC

Minsta arbetsstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

-55°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.07mm

Bredd

5 mm

Längd

5.99mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor