Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI7288DP-T1-GE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

50,38 kr

(exkl. moms)

62,98 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 10 640 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +5,038 kr50,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
818-1390
Tillv. art.nr:
SI7288DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

15.6W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Length

5.99mm

Standards/Approvals

No

Width

5 mm

Height

1.07mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar