onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 2.8 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, NDT
- RS-artikelnummer:
- 806-1255
- Tillv. art.nr:
- NDT014L
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
140,86 kr
(exkl. moms)
176,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 3 960 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 7,043 kr | 140,86 kr |
| 200 - 480 | 6,071 kr | 121,42 kr |
| 500 + | 5,264 kr | 105,28 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 806-1255
- Tillv. art.nr:
- NDT014L
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | NDT | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 360mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.85V | |
| Maximal effektförlust Pd | 3W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.7 mm | |
| Höjd | 1.7mm | |
| Längd | 6.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie NDT | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 360mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.85V | ||
Maximal effektförlust Pd 3W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.7 mm | ||
Höjd 1.7mm | ||
Längd 6.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Enhancement Mode N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fälteffekttransistorer (FET) i Enhancement Mode tillverkas med Fairchilds egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna högdensitetsprocess har utformats för att minimera on-state-motståndet, ge robust och tillförlitlig prestanda och snabb omkoppling.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal 2.8 A 60 V Förbättring SOT-223, NDT
- onsemi Typ P Kanal 5 A 30 V Förbättring SOT-223, NDT
- onsemi Typ N Kanal 4 A 60 V Förbättring SOT-223, NDT
- onsemi Typ P Kanal 2.5 A 60 V Förbättring SOT-223, NDT
- onsemi Typ P Kanal 7.5 A 30 V Förbättring SOT-223, NDT
- onsemi Typ N Kanal 2.8 A 150 V Förbättring SOT-223, PowerTrench
- Infineon Typ N Kanal 2.8 A 55 V Förbättring SOT-223, HEXFET
- DiodesZetex Typ N Kanal 2.8 A 70 V Förbättring SOT-223, IntelliFET
