Toshiba TK Type N-Channel MOSFET, 9 A, 900 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN TK9J90E
- RS-artikelnummer:
- 796-5153
- Tillv. art.nr:
- TK9J90E
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
60,93 kr
(exkl. moms)
76,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 281 enhet(er) från den 29 december 2025
- Dessutom levereras 42 enhet(er) från den 29 december 2025
- Dessutom levereras 161 enhet(er) från den 05 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 49 | 60,93 kr |
| 50 - 149 | 41,10 kr |
| 150 - 374 | 40,21 kr |
| 375 - 749 | 38,86 kr |
| 750 + | 37,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 796-5153
- Tillv. art.nr:
- TK9J90E
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 900V | |
| Package Type | TO-3PN | |
| Series | TK | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.3Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | -1.7V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.5mm | |
| Height | 20mm | |
| Width | 4.5 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 900V | ||
Package Type TO-3PN | ||
Series TK | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.3Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf -1.7V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.5mm | ||
Height 20mm | ||
Width 4.5 mm | ||
Automotive Standard No | ||
MOSFET N-channel, TK8 & TK9 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
relaterade länkar
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 900 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VQ(O
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 250 V EnhancementS1F(O
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VQ(O
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VQ(O
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220