Toshiba TK Type N-Channel MOSFET, 214 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK100E08N1
- RS-artikelnummer:
- 796-5077
- Tillv. art.nr:
- TK100E08N1
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
29,12 kr
(exkl. moms)
36,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 160 enhet(er) från den 29 december 2025
- Dessutom levereras 1 enhet(er) från den 29 december 2025
- Dessutom levereras 2 188 enhet(er) från den 05 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 29,12 kr |
| 10 - 19 | 27,61 kr |
| 20 - 49 | 26,27 kr |
| 50 - 249 | 23,21 kr |
| 250 + | 21,69 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 796-5077
- Tillv. art.nr:
- TK100E08N1
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 214A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | TK | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 255W | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 130nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.16mm | |
| Width | 4.45 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 15.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 214A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series TK | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 255W | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 130nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.16mm | ||
Width 4.45 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 15.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
MOSFET Transistors, Toshiba
relaterade länkar
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK35E08N1
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 80 V EnhancementS4X(S
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 80 V EnhancementS4X(S
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
